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Wandler mit Parallelresonanzkreis

 


Wandler mit Parallelresonanzkreis
Vorteile:
  • Einfacher Zusammenbau
  • Hohe Leistung
  • Nur 1 Leistungstransistor
  • Kein GDT oder Treiber IC notwendig
  • Keine Spikes
Nachteile:
  • Darf nur mit Last am Ausgang betrieben werden
  • Schwierig zum Abstimmen

Beschreibung:

Der Übertrager ist ein normaler Diodensplitttrafo (DST) ohne internem Kondensator aus einem Monitor. Da die interne Primärwicklung des DSTs zu schwach dimensioniert ist, hab ich eine neue Primärwicklung mit einem 2,5 mm² Installationsdraht auf dem Ferritkern angebracht. Zur Takterzeugung wird das Timer-IC NE555 verwendet. Mit dem Tandempoti, das in der Ansteuerschaltung verwendet wird, lässt sich die Frequenz nahezu unabhängig vom Tastverhältnis einstellen. Aufgebaut wurde die Schaltung auf ein Stück Experimentierplatine. Als Stromversorgung wurden zwei 12V Bleigelakkus in Serie geschalten verwendet.

 

Fotos vom Aufbau: (zur Ansicht in eigenem Fenster auf das Bild klicken)



Auf der Platine ist neben dem Oszillatorteil auch noch der Festspannungsregler für die 12V untergebracht. Den passenden Sockel für den NE555 hatte ich leider nicht zur Hand also hab ich einen gleich 3 Nummern größeren genommen ;-)
Platine
Zum Einstellen der Resonanzfrequenz wurde ein großer Kühlkörper verwendet, da sich der Mosfet jenseits der Resonanzfrequenz stark erwärmt. Großer Kühlkörper
Bei Resonanzfrequenz kann der Kühli schon etwas kleiner ausfallen... Kleiner Kühlkörper

Shuntwiderstand zur Strommessung
(Vierleitermessung; 60A 60mV)

shuntwiderstand

So hat alles geendet: Das MOSFET hat eine schöne Stichflamme von sich gegeben, weil genau das passiert ist, was man vermeiden sollte (siehe Kommentar neben Schaltplan)

Kaputt


Schaltplan: (zur Ansicht in eigenem Fenster auf das Bild klicken)

Schaltplan   Schaltung nie ohne Last (Lichtbogen am Ausgang) betreiben, da die sich daraus ergebende Spannungsübererhöhung im Schwingkreis den MOSFET zerstören würde (was mir passiert ist). Eine mögliche Lösung für das Problem wäre die Regelung des Tastverhältnisses mittels PWM. Das würde allerdings einen erheblichen schaltungstechnischen Aufwand Mehraufwand erfordern.



Oszibilder Fotogalerie Video Bauteilliste



Technische Daten:
  Eingangsspannung: Uin = 24V (Bleigelakku)
  Eingangsstrom: Iin ~ 25A
  Eingangsleistung: Pin ~ 600W
  Resonanzfrequenz: fres~29 kHz
  Kapazität im Schwingkreis : C = 10µF
  Induktivität im Schwingkreis : L ~ 3µH
  Spannung am Schwingkreis: Uss = 90V
  Ausgangsspannung: Uout ~ 35.000V
  Fertiggestellt am: 12 August 2005
  Status: defekt; Mosfet ist an Überspannung gestorben


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